Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 61,7А; 56,8Вт

Немає в наявності
Код товару: SIZF4412DT-T1-GE3
56,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZF4412DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: PowerPAIR® 6x5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стока: 61,7А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC; Iвих: 33мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC; Iвих: 33мА

459,33 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
33мА
Кількість виходів:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73H; 150В
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73H; 150В

3,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Манометр; -1÷1,5бар; Клас: 1; 100мм; 80°C; IP54; нержавіюча сталь
Манометр; -1÷1,5бар; Клас: 1; 100мм; 80°C; IP54; нержавіюча сталь

2570,33 грн

Вимір:
тиску
Властивості вимірювальних приладів:
нижнє положення датчика
Діаметр:
100мм
Діапазон вимірювання тиску:
-1...1,5бар
Недоступний
Резистор: thin film; 97,6Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 97,6Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

122,28 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 8; THT; 2A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 8; THT; 2A; 150V

280,03 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
7мм
Довжина відводів:
2,5мм
Кабель; 150мм; SMA "мама"; прямий; 6ГГц; 50Ом; гніздовий; -65÷150°C
Кабель; 150мм; SMA "мама"; прямий; 6ГГц; 50Ом; гніздовий; -65÷150°C

684,87 грн

Вид кабелю:
RG316
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина кабелю:
0,15м
Імпеданс:
50Ом
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD