Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 6А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SI7216DN-T1-GE3
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7216DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 39мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20,8Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A

394,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

3,06 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 5; прямий
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 5; прямий

4,75 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
5
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 64,2Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 64,2Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8

176,13 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SDI; SPI; SQI
Корпус:
SO8
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 3А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 3А

81,09 грн

Виводи:
для друку; до лютування
Електрична стійкість:
500000 цикли
Зовнішні розміри:
20,2x10,2x10,6мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл