Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 60В; 38А; Idm: 80А

Немає в наявності
Код товару: SIZ250DT-T1-GE3
38,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ250DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 18,87/18,11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 38А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Перехідник різьблення для обтисків; M25; M32; поліамід; R-FS
Перехідник різьблення для обтисків; M25; M32; поліамід; R-FS

411,81 грн

Внутрішня різьба:
M25
Довжина гвинта:
12мм
Зовнішня різьба:
M32
Колір корпусу:
сірий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 1,2А; DIP24
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 1,2А; DIP24

356,69 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
1,2А
Відповідність стандарту:
cURus
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1+N; 6кА
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1+N; 6кА

264,19 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
1+N
Клас герметичності:
IP20
Резистор: thick film; 1206; 250мВт; ±5%; RC; 3,1x1,6x0,55мм
Резистор: thick film; 1206; 250мВт; ±5%; RC; 3,1x1,6x0,55мм

1,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Потужність:
0,25Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

403,57 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; X8G; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; X8G; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А

36,75 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
14
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл