Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 80В; 30А; Idm: 84А

Немає в наявності
Код товару: SQJB80EP-T1_GE3
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJB80EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 12мФ; 63ВDC; Ø35x50мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 12мФ; 63ВDC; Ø35x50мм; ±20%

458,69 грн

Висота:
50мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
12мФ
Недоступний
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Threading die: metric; M8; left hand thread; 1.25; Ø: 25mm; Thk: 9mm
Threading die: metric; M8; left hand thread; 1.25; Ø: 25mm; Thk: 9mm

1230,36 грн

Type of threading die:
метрична
Вид різьблення:
ліва
Використання інструментів:
алюміній; пластмаса; сталь
Відповідність стандарту:
DIN EN 22568
Недоступний
Резистор: metal film; 698мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 698мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,11Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,88 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 3м; тросик
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 3м; тросик

81,73 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА; на панель; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА; на панель; OUT: 1

1392,55 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,5А
Кількість виходів:
1
ККД:
87%
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD