Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 72А; 36Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: IXFP72N20X3M
263,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFP72N20X3M
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 72А
Технологія: HiPerFET™; X3-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 84нс
Роз’єм: M12; PIN: 12; промислова; M; 30В; IP68; код A; 1,5А; 1м
Роз’єм: M12; PIN: 12; промислова; M; 30В; IP68; код A; 1,5А; 1м

1198,05 грн

Connector family:
промислова
Довжина проводу:
1м
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP68
Введення; Øмонт.отв: 40мм; еластомер термопластичний TPE; чорний
Введення; Øмонт.отв: 40мм; еластомер термопластичний TPE; чорний

32,88 грн

Діаметр монтажного отвору:
40мм
Зовнішній діаметр проводу:
20...28мм
Клас герметичності:
IP67
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80кБSRAM,256кБFLASH; LQFP208; 2,4÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 80кБSRAM,256кБFLASH; LQFP208; 2,4÷3,6ВDC

664,60 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Інтерфейс:
CAN; EBI; EMI; I2C; I2S; Microwire; SDMMC; SPI; SSI; SSP; UART; USART; USB OTG
Кількість входів/виходів:
165
Корпус:
LQFP208
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 1206

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: TVS; 12,4В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 12,4В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C

165,36 грн

Зворотна напруга макс.:
11,1В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
12,4В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
Діод: TVS; 20кВт; 253,4В; 58А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA
Діод: TVS; 20кВт; 253,4В; 58А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA

655,09 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
216В
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
127нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
42нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 170В; 220А; 1250Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 170В; 220А; 1250Вт; PLUS247™

688,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
500нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 150А; 480Вт; TO220AB; 100нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 150А; 480Вт; TO220AB; 100нс

483,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
105нКл