Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 600В; 36А; Idm: 48А; 446Вт

Немає в наявності
Код товару: IXFH36N60X3
453,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH36N60X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 446Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: HiPerFET™; X3-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 180нс
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; Gecko-SL; 2A; PIN: 50
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; Gecko-SL; 2A; PIN: 50

778,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 64; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 64; THT; straight

224,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 360Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 360Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 1.5A

345,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5нФ; 100В; U2J; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5нФ; 100В; U2J; ±5%; SMD; 0603

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Кабель; кругла; 1x0,75мм2; проводи,DC 5,5/2,5 гніздо; прямий
Кабель; кругла; 1x0,75мм2; проводи,DC 5,5/2,5 гніздо; прямий

198,30 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів
Довжина кабелю:
1,5м
Зовнішні розміри проводу:
Ø3,7мм
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT