1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 150А; 890Вт; TO268

Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 150А; 890Вт; TO268
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFT150N30X3HV
1014,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFT150N30X3HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 254нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 8,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: 150А
Технологія: HiPerFET™; X3-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 167нс
Недоступний
Вимикач безпеки: з ключем; FR; NC + NO; Електр.під'єдн: PG13,5
Вимикач безпеки: з ключем; FR; NC + NO; Електр.під'єдн: PG13,5

1076,41 грн

Властивості датчиків:
привід замовляється окремо
Електричне під'єднування:
PG13,5
Колір:
червоний; чорний
Конфігурація контактів:
NC + NO
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 25ВDC; Y5V; -20÷80%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 25ВDC; Y5V; -20÷80%; SMD; 0805

1,51 грн

Діелектрик:
Y5V
Допуск:
-20...80%
Ємність:
2,2мкФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Манометр; 0÷4бар; Клас: 1,6; 63мм; Темп: -20÷60°C; сталь; 213.53
Манометр; 0÷4бар; Клас: 1,6; 63мм; Темп: -20÷60°C; сталь; 213.53

1059,94 грн

Вимір:
тиску
Властивості вимірювальних приладів:
нижнє положення датчика
Діаметр:
63мм
Діапазон вимірювання тиску:
0...4бар
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; без важеля
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; без важеля

157,12 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
без важеля
Електрична стійкість:
100000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 30Вт; 24,2ВDC; 220÷240ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 30Вт; 24,2ВDC; 220÷240ВAC

1416,63 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24,2В DC
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD