Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 36Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP56N30X3M
542,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP56N30X3M
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 56А
Технологія: HiPerFET™; X3-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 115нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; 2,16А; 61,5÷140кГц; 20Вт
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; 2,16А; 61,5÷140кГц; 20Вт

115,31 грн

Вид об'єднаної схеми:
AC/DC switcher; контролер SMPS
Вихідний струм:
2,16А
Вхідна напруга:
85...265В
Корпус:
SMD-8B
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 5А; ±20%; Isat: 6,7А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 5А; ±20%; Isat: 6,7А; ферит

25,79 грн

Високосортність:
20
Висота:
8,5мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; CR-P; PCB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; CR-P; PCB

359,86 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Монтаж:
PCB
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 680мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 680мкФ; 16ВDC; ±20%

31,11 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; 7,7А; односпрямована; ±10%; DO13; 90пФ
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; 7,7А; односпрямована; ±10%; DO13; 90пФ

2074,89 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
90пФ
Зворотна напруга макс.:
110В
Корпус:
DO13
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт