Транзистор: N-MOSFET x8; польовий; 12В; 1,6А; Idm: 10А; 1,25Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN1250UFEL-7
21,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMN1250UFEL-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 1,9нКл
Корпус: U-QFN1515-12
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 0,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 1,6А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET x8
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 25МГц; SMD; QFN28; PIC32; туба
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 25МГц; SMD; QFN28; PIC32; туба

119,11 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; HLVD; PoR
Інтерфейс:
DAC; I2C; I2S; PWM; SPI; UART; USB
Кількість входів/виходів:
21
Недоступний
Резистор: thin film; 6,19кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 6,19кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 232Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 232Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 4ВDC; SMD; Y; 2917; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 4ВDC; SMD; Y; 2917; ±20%; -55÷125°C

46,88 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
Y
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; чорний; L: 100мм; W: 150мм
Радіатор: штампований; ребристий; чорний; L: 100мм; W: 150мм

4514,07 грн

Висота:
70,5мм
Довжина:
0,1м
Колір:
чорний
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Резистор: thin film; 118кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 118кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,06нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В