Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3
Brand: NXP
SKU: MRF101AN
Price: 2115.24 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: MRF101AN

2115,24 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 50

Крок додавання: 50

Код товару:

MRF101AN

Виробник:

NXP

Корпус:

TO220-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±10В

Напруга сток-джерело:

133В

Потужність розсіювання:

182Вт

Струм стока:

8,8А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

305,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
65нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

476,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
110нКл

Корпус:
TO3PF

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9064,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
RF

Вид упаковки:
туба

Вихідна потужність:
350Вт