Транзистор: N-MOSFET

Немає в наявності
Код товару: IAUTN12S5N018GATMA1
231,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1800
Крок додавання: 1800
Код товару: IAUTN12S5N018GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 16А; Дл: 2м; ПВХ
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 16А; Дл: 2м; ПВХ

0,00 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір:
червоний
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Діод: TVS; 7,7кВт; 26,7В; 120А; двоспрямована; DO218AB; Ch: 1
Діод: TVS; 7,7кВт; 26,7В; 120А; двоспрямована; DO218AB; Ch: 1

108,96 грн

Зворотна напруга макс.:
24В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO218AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Робоча куртка; Розмір: XXXL; жовтий; VISIBILTY; з капюшоном
Робоча куртка; Розмір: XXXL; жовтий; VISIBILTY; з капюшоном

2031,62 грн

Відповідність стандарту:
CE
Колір:
жовтий
Матеріал:
поліестер
Модель:
з капюшоном
Недоступний
Трубка термоусаджувальна; еластичний; 2: 1; 3,2мм; L: 1220мм
Трубка термоусаджувальна; еластичний; 2: 1; 3,2мм; L: 1220мм

81,09 грн

Вид матеріалу:
негорючі
Діаметр після усадження:
1,6мм
Довжина:
1,22м
Коефіцієнт усадження:
2:1
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; гніздовий; промислова; M12 ALTW; прямий; метал
Роз’єм: M12; вилка; гніздовий; промислова; M12 ALTW; прямий; метал

1454,50 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
4м
Електричний монтаж:
проводи
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

399,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23