Транзистор: N-MOSFET

Немає в наявності
Код товару: IPLK70R600P7ATMA1
28,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: IPLK70R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,2А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,2А

10,14 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Вихідна напруга:
3В
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "папа" кутовий,з обох сторін
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "папа" кутовий,з обох сторін

3598,59 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 36Вт; 15ВDC; 2,4А
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 36Вт; 15ВDC; 2,4А

797,64 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
2,4А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Роз’єм: круглі; штекерний; 5А; PIN: 4; прямий; затискання
Роз’єм: круглі; штекерний; 5А; PIN: 4; прямий; затискання

9535,62 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
4
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Резистор: thick film
Резистор: thick film

3,55 грн

Тип резистора:
thick film
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD