Name: Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 100/-100В; 2,3/-1,9А; 2,1Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMHC10H170SFJ-13
Price: 43.08 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 100/-100В; 2,3/-1,9А; 2,1Вт

Немає в наявності

Код товару: DMHC10H170SFJ-13

43,08 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

DMHC10H170SFJ-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

9,7/17,5нКл

Корпус:

V-DFN5045-12

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100/-100В

Опір в стані провідності:

200/300мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,1Вт

Струм стока:

2,3/-1,9А

Струм стоку в імпульсі:

13...-11А

Тип транзистора:

N/P-MOSFET

Недоступний

Бажані

Діод: випрямний Шотткі; THT; 45В; 10А; ITO220AC; Ufmax: 570мВ

44,35 грн

Зворотна напруга макс.:
45В

Корпус:
ITO220AC

Монтаж:
THT

Пряма напруга макс.:
0,57В

Недоступний

Бажані

Роз’єм: Jack 6,3мм + XLR; гніздо; гніздовий; аудіо відео; прямий

91,23 грн

Connector family:
аудіо відео

Вид роз’єму:
гніздовий

Електричний монтаж:
THT

Максимальний струм:
3А

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 100V

36,11 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
SMT

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
33нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,5/1,7нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
2,3нКл

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363