1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 12В; 6А; 1,36Вт; U-DFN2020-6

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 12В; 6А; 1,36Вт; U-DFN2020-6
Немає в наявності
Код товару: DMC1028UFDB-7
17,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMC1028UFDB-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 18,5нКл
Корпус: U-DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,36Вт
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Викрутка: динамометрична; регульований; 0,2÷1Нм; 1/4"
Викрутка: динамометрична; регульований; 0,2÷1Нм; 1/4"

11445,78 грн

Вид викрутки:
регульований
Відповідність стандарту:
ISO 6789
Обертаючий момент:
0,2...1Нм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V

239,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
8,9мм
Недоступний
Резистор: thick film; 825Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 825Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 392кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 392кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷40ВDC; Uвих: 1,2÷37ВDC; 3А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷40ВDC; Uвих: 1,2÷37ВDC; 3А; SMD

115,31 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2...37В DC
Вихідний струм:
3А
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; DO219AB; SMD; 100В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DO219AB; SMD; 100В; 1А; ролик,cтрічка

8,74 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
43пФ
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO219AB
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
UMT6
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/1,4нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
PDFN3030-8
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт