1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 6,5/-4,9А; 2Вт; SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 6,5/-4,9А; 2Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: IRF7319TRPBF
18,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 29/58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 6,5/-4,9А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

5,70 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
3,9кОм
Резистор: thin film; 3,57кОм; 1206; 400мВт; -55÷155°C; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 3,57кОм; 1206; 400мВт; -55÷155°C; 10ppm/°C

20,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Модель:
ESD
Реактор: керамічний; SMD; 0805; 82нГн; -55÷125°C
Реактор: керамічний; SMD; 0805; 82нГн; -55÷125°C

1,96 грн

Індуктивність:
82нГн
Корпус - дюйм:
0805
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V

157,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; straight

62,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Роз’єм: провід-провід; PIN: 16; прямий; затискання
Роз’єм: провід-провід; PIN: 16; прямий; затискання

37,63 грн

Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
16
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
провід-провід
Недоступний
Резистор: thin film; 210Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 210Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 26А; Idm: 104А; 39Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 26А; Idm: 104А; 39Вт

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; Idm: 56А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; Idm: 56А; 3Вт; SOP8

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 56/84А; 23/25Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 56/84А; 23/25Вт; PQFN8

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17/39нКл
Корпус:
PQFN8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В