Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт

Немає в наявності
Код товару: SH8MA4TB1
16,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SH8MA4TB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15,5/19,6нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 32,5/41,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 9/-8,5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 33Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 33Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

484,67 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; NS; 200В
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; NS; 200В

1,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 125мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 125мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; KS-VF4; 34мм
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; KS-VF4; 34мм

211,61 грн

Використання:
тестові голки
Довжина:
34мм
Покриття контакту:
позолочений
Серія виробника:
KS-VF4
Недоступний
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; вертикальне; IP67
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; вертикальне; IP67

253,42 грн

Alias:
SAL-8-FS4-X13/SMT
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
UMT6
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,8нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; Idm: 49А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; Idm: 49А; 1,56Вт; ESD

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,3Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,3Вт; SOP8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 20А; Idm: 80А; 22,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 20А; Idm: 80А; 22,7Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
PDFN3030-8