1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40В; 5,6/-4,7А; Idm: 20÷-20А

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40В; 5,6/-4,7А; Idm: 20÷-20А
Немає в наявності
Код товару: DI5A6C04SQ
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI5A6C04SQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,3нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 43мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,95Вт
Струм стока: 5,6/-4,7А
Струм стоку в імпульсі: 20...-20А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ

72,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; ECQUA; 0,15мкФ; 275ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; ECQUA; 0,15мкФ; 275ВAC; THT

98,83 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 91мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; ERJ8BWF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; ERJ8BWF; -55÷155°C

10,52 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 324Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 324Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А

1099,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,06нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6