1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 3,1Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 3,1Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTHD3100CT1G
79,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTHD3100CT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,4нКл
Корпус: ChipFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12/±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 115/110мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 3,9/-4,4А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

5019,65 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
1,35А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Конденсатор: поліпропиленовий; MKP; 120нФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; MKP; 120нФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±5%

31,68 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12мкФ
Кліматична категорія:
55/100/56; IEC 60068-1
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,34кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; PIN: 3; прямий; чорний
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; PIN: 3; прямий; чорний

30,73 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Колір:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

4,82 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
1206
Роз’єм: провід-провід; штекерний; Uном: 125В; PIN: 1; компресійний
Роз’єм: провід-провід; штекерний; Uном: 125В; PIN: 1; компресійний

57,65 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
червоний
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В