Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 350мВт

Немає в наявності
Код товару: PJT7600_S1_00001
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJT7600_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,6/2,2нКл
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 150/325мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 1А/-700мА
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Connector: pin strips; male; data; PIN: 4; SMT; 250V; straight; 3A
Connector: pin strips; male; data; PIN: 4; SMT; 250V; straight; 3A

15,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

2,16 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 140Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 140Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: гибридний; H: 10,2мм; 33мкФ; 80ВDC; 1,7А; SMD; ZA; ±20%
Конденсатор: гибридний; H: 10,2мм; 33мкФ; 80ВDC; 1,7А; SMD; ZA; ±20%

92,50 грн

Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; підвищена температура пайки
Діаметр:
10мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,2пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; SMT; straight

70,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD