1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 5/12Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 5/12Вт
Немає в наявності
Код товару: AOND32324
24,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AOND32324
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В; ±25В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 14/12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5/12Вт
Струм стока: 16/-16А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,1пФ
Недоступний
Провід: управління; chainflex® CF10.UL; 20G0,75мм2; сірий; тросик
Провід: управління; chainflex® CF10.UL; 20G0,75мм2; сірий; тросик

2190,20 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: -; 2,5÷5мм; ПВХ; жовтий; на корпус
Маркер: кабельний; Маркування: -; 2,5÷5мм; ПВХ; жовтий; на корпус

2,28 грн

Висота:
5,5мм
Довжина:
3мм
Зовнішній діаметр проводу:
2,5...5мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: рація RF; 2÷3,6ВDC; SPI; SMD; VQFN32; 256БRAM,4кБROM
IC: рація RF; 2÷3,6ВDC; SPI; SMD; VQFN32; 256БRAM,4кБROM

313,61 грн

Інтерфейс:
SPI
Комунікаційний протокол:
IEEE 802.15.4 g
Корпус:
VQFN32
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2,4А
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2,4А

2481,00 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
2,4А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 16ВDC; Ø8x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 16ВDC; Ø8x12мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD