Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 20/-20В; 1,3/-1,1А; ESD

Немає в наявності
Код товару: G1NP02LLE
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1NP02LLE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 1/1,22нКл
Корпус: SOT23-6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25/1,25Вт
Струм стока: 1,3/-1,1А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 250Вт; 24ВDC; 3,12÷10,42А; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; 250Вт; 24ВDC; 3,12÷10,42А; IP20

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
3,12...10,42А
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 158Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 158Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

30,60 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 178кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 178кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD