Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 30/-30В; 28/-12А

Name: Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 30/-30В; 28/-12А
Brand: GOFORD SEMICONDUCTOR
SKU: G085C03D32
Price: 47.52 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: G085C03D32

47,52 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

G085C03D32

Виробник:

GOFORD SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

18/25нКл

Корпус:

DFN3x3-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30/-30В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

13/30Вт

Струм стока:

28/-12А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

N/P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT26

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
2,3/1,5нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,1нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,2нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,6/2,2нКл

Корпус:
SOT363