Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 60/-60В; 5/-3,1А; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G05NP06S2
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G05NP06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22/37нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5/1,9Вт
Струм стока: 5/-3,1А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE; 20А
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE; 20А

53,22 грн

Alias:
LP 7.62/02/90 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
20,2мм
Електричний монтаж:
THT; гвинтовий затиск
Недоступний
IC: PMIC; синхронний; Uвх: 4,5÷19В; Uробоча: 4,5÷19В; Uвих: 5В; buck
IC: PMIC; синхронний; Uвх: 4,5÷19В; Uробоча: 4,5÷19В; Uвих: 5В; buck

131,78 грн

Вид об'єднаної схеми:
синхронний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
5А
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 3А; THT
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 3А; THT

1263,31 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD