Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 60/-60В; 6/-6А; 2/2,5Вт

Немає в наявності
Код товару: G06NP06S2
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G06NP06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22/25нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2/2,5Вт
Струм стока: 6/-6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; буферний,на рейці DIN; 59,34Вт; 2,8А
Блок живлення: імпульсний; буферний,на рейці DIN; 59,34Вт; 2,8А

1659,91 грн

Вид блоку живлення:
буферний; на рейці DIN
Вихідна напруга:
13,8В DC
Вихідна напруга 2:
13,8В DC
Вихідний струм:
2,8А
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-112; steel; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-112; steel; 2.25N; push-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,3мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9,5÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 830мА
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9,5÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 830мА

8570,72 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідна напруга 2:
-24В DC
Вихідний струм:
0,83А
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 6,7÷67мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 6,7÷67мА

397,24 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
6,7...67мА
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; SMT; straight

24,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм

31,30 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
30мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,5А
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CR; 150В
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CR; 150В

0,17 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD