1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4/-4А

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4/-4А
Немає в наявності
Код товару: SI5515CDC-T1-E3
18,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI5515CDC-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11/11,3нКл
Корпус: ChipFET8
Корпус - дюйм: 1206
Корпус - мм: 3216
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 156/50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 4/-4А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 1,8А; ±20%; 3x3x1,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 1,8А; ±20%; 3x3x1,5мм

3,66 грн

Висота:
1,5мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

23,44 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 90А; 42÷660ВAC; RGS..E
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 90А; 42÷660ВAC; RGS..E

5129,88 грн

Зовнішні розміри:
17,8x62x90мм
Клас герметичності:
IP20
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
42...660В AC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V

141,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,20 грн

Alias:
KGM31BR72A183KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 300мА; Полюси: 4; 240/415ВAC
Аварійний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 300мА; Полюси: 4; 240/415ВAC

41576,96 грн

Вид вимикача:
тип S/B
Використання:
фотоелектрика
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
0,3А
Діод: TVS; 600Вт; 56,7÷62,9В; 7,3А; односпрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 56,7÷62,9В; 7,3А; односпрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ

4,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
51В
Корпус:
SMB
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SO8