1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4,5/-4,5А

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4,5/-4,5А
Немає в наявності
Код товару: SIA519EDJ-T1-GE3
17,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA519EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16/12нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 137/65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 4,5/-4,5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 15А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 15А

17,11 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
UL
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±0,5%; 200В

2,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 255кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 255кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67

2090,09 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
8мм
Довжина відводів:
2м
Довжина гвинта:
30мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
2,55/4,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,35нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6