Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 2,5/-1,8А

Немає в наявності
Код товару: SI3552DV-T1-E3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI3552DV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,6/3,2нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 360/175мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,15Вт
Струм стока: 2,5/-1,8А
Струм стоку в імпульсі: -7...8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206

0,00 грн

Alias:
C1206C103K2RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм

3,86 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Недоступний
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm

15,27 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
39,2нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл