Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 4,9/-3,4А

Немає в наявності
Код товару: SI4532CDY-T1-GE3
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9/12нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 47/89мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,78Вт
Струм стока: 4,9/-3,4А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Пінцет: прямий; 105мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: плоскі
Пінцет: прямий; 105мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: плоскі

255,96 грн

Використання інструментів:
для точних робіт
Довжина пінцета:
105мм
Тип пінцета:
прямий
Форма кінцівки леза:
плоскі
Гніздовий; PIN: 2; затискання; натуральний; 5мм
Гніздовий; PIN: 2; затискання; натуральний; 5мм

57,65 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Колір:
натуральний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206

1,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: metal film; 20,5кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 20,5кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

5,70 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8; ESD

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/54А; 8/13Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/54А; 8/13Вт; DFN5x6

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT563
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/2,2нКл
Корпус:
SOT363