1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40/-40В; 6,8/-5,8А

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40/-40В; 6,8/-5,8А
Немає в наявності
Код товару: SI4599DY-T1-GE3
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4599DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 38/20нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40/-40В
Опір в стані провідності: 62/42,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1/3Вт
Струм стока: 6,8/-5,8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 250А; Iвих: 5А; Øвнутр: 20,4мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 250А; Iвих: 5А; Øвнутр: 20,4мм

2262,42 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
250А
Діаметр внутрішній:
20,4мм
Недоступний
Резистор: thin film; 320Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 320Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; RN73H; 50В

2,91 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; Iвих max: 600мА; 5,4Вт; 9В; IT
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; Iвих max: 600мА; 5,4Вт; 9В; IT

0,00 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC
Використання:
IT
Вихідна напруга:
9В
Вихідний струм:
0,6А
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

10,77 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реле безпеки; OUT: 2; 24ВDC; 0÷60°C; 217,2x40x40мм; Кат.безп: 3
Реле безпеки; OUT: 2; 24ВDC; 0÷60°C; 217,2x40x40мм; Кат.безп: 3

26293,11 грн

Зовнішні розміри:
217,2x40x40мм
Категорія безпеки:
3
Кількість виходів:
2
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Недоступний
Реактор: common mode; THT; 3А; R: 29мОм; 21x15мм; 1,2мГн
Реактор: common mode; THT; 3А; R: 29мОм; 21x15мм; 1,2мГн

102,00 грн

Індуктивність одинарної обмотки:
1,2мГн
Монтаж:
THT
Опір:
29мОм
Растр виводів:
21x15мм
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD