1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт

Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZXMHC10A07N8TC
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXMHC10A07N8TC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: MOSFET H-Bridge
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100/-100В
Опір в стані провідності: 0,9/1,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,87Вт
Струм стока: 0,9/-0,7А
Тип транзистора: N/P-MOSFET x2
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

1,83 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Вставка; 8А; 24В; зі LED,з випрямним мостом,з варистором
Вставка; 8А; 24В; зі LED,з випрямним мостом,з варистором

540,42 грн

Модель роз’єму:
з варистором; з випрямним мостом; зі LED
Номінальна напруга:
24В
Номінальний струм:
8А
Супутні товари:
GDME
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,9пФ
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; туба
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; туба

0,00 грн

CTR@If:
80-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл