Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 200/-200В; 1,8/-2А; VDFN12

Немає в наявності
Код товару: TC7920K6-G
93,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: TC7920K6-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VDFN12
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 200/-200В
Опір в стані провідності: 7/8Ом
Поляризація: польовий
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Струм стока: 1,8/-2А
Тип транзистора: N/P-MOSFET x2
Резистор: thick film; 26,1кОм; 5,1x2,5x0,8мм
Резистор: thick film; 26,1кОм; 5,1x2,5x0,8мм

76,66 грн

Зовнішні розміри:
5,1x2,5x0,8мм
Опір:
26,1кОм
Розміри корпусу:
5,1x2,5x0,8мм
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Недоступний
Shoes; Size: 46; grey-black; knitwear,EVA,KPU; oils
Shoes; Size: 46; grey-black; knitwear,EVA,KPU; oils

1495,82 грн

Відповідність стандарту:
EN ISO 20345:2022
Категорія безпеки:
2; SB FO
Колір:
сіро-чорний
Матеріал:
EVA; knitwear; KPU
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±30%; 2,8x2,8x1,35мм; 1,6А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±30%; 2,8x2,8x1,35мм; 1,6А; ферит

19,58 грн

Високосортність:
9
Висота:
1,35мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
1мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 28,9÷31,9В; 71,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 3кВт; 28,9÷31,9В; 71,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB

75,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
26В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SO8