Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,3А; 1,25Вт

Немає в наявності
Код товару: SI1967DH-T1-GE3
9,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI1967DH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4нКл
Корпус: SC70-6; SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 790мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -1,3А
Струм стоку в імпульсі: -3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Перемикач: важільний; DPDT; ON-OFF-(ON); Вив: гвинтові виводи
Перемикач: важільний; DPDT; ON-OFF-(ON); Вив: гвинтові виводи

1194,25 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид важеля:
круглий
Довжина важеля:
17,5мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: metal strip; 2мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD
Резистор: metal strip; 2мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD

11,97 грн

Вид резистора:
вимірювальний; струмовий шунт
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Етикетка; поліамід; натуральний; перетягуваний; UL94V-2; W: 12,7мм
Етикетка; поліамід; натуральний; перетягуваний; UL94V-2; W: 12,7мм

16,47 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
монтаж кабельних стягувань шириною 4,8 мм
Довжина:
32,8мм
Клас горючості:
UL94V-2
Колір:
натуральний
Недоступний
Конектор: плоский; гніздовий; 2,62÷4,17мм2; затискання; прямий
Конектор: плоский; гніздовий; 2,62÷4,17мм2; затискання; прямий

0,00 грн

Версія наконечника:
неізольований
Вид конектора:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Колір:
сірий
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6МОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 5,6МОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Реле контролю напруги; 24ВDC; на шину DIN; SPDT; 100мс÷3с
Реле контролю напруги; 24ВDC; на шину DIN; SPDT; 100мс÷3с

12965,04 грн

Вид виходу 1:
SPDT
Затримка спрацьовування контакту:
0,1...3с
Монтаж:
на шину DIN
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 130Ом; високої потужності; SMD; 2817; 4Вт
Резистор: thick film; 130Ом; високої потужності; SMD; 2817; 4Вт

10,71 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD