Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

Немає в наявності
Код товару: MMBFJ270
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBFJ270
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 2мА
Тип транзистора: P-JFET
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 15Аx2; TO247-3; туба
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 15Аx2; TO247-3; туба

362,39 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Датчик: оптоволоконний підсилювач; NPN; IP66; 10÷30ВDC; 2000Гц
Датчик: оптоволоконний підсилювач; NPN; IP66; 10÷30ВDC; 2000Гц

7241,52 грн

Властивості датчиків:
регулювання чутливості
Зовнішні розміри:
10x33,1x72,5мм
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP66
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

7,60 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Кабель; slim,USB 3.1; RJ45 вилка,USB C вилка; нікельований; 1м
Кабель; slim,USB 3.1; RJ45 вилка,USB C вилка; нікельований; 1м

1016,85 грн

Будова екрану:
екранований; плівка Al
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид проводу:
F/UTP
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,37 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Вим: 5x3,2мм; 18пФ; SMD; ESR: 30Ом; 5x3,2x0,9мм; 25МГц; -40÷125°C
Вим: 5x3,2мм; 18пФ; SMD; ESR: 30Ом; 5x3,2x0,9мм; 25МГц; -40÷125°C

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
30Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 40А; DIP
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 40А; DIP

3750,64 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
40А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
58,4x22,9x11,4мм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В