Транзистор: P-JFET; польовий; 7мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

Немає в наявності
Код товару: MMBFJ175LT1G
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBFJ175LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 125Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 7мА
Тип транзистора: P-JFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,6кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,6кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 10кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 7,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 7,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R46; 100нФ; 560ВDC; 275ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R46; 100нФ; 560ВDC; 275ВAC; THT

25,34 грн

Alias:
46KI310000M1M
Вид конденсатора:
X2
Довжина відводів:
4мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201

0,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 182Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 182Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD