Транзистор: P-MOSFET; -30В; 2,9Вт; SC70-6

Name: Транзистор: P-MOSFET; -30В; 2,9Вт; SC70-6
Brand: VISHAY
SKU: SIA4371EDJ-T1-GE3
Price: 9.69 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: SIA4371EDJ-T1-GE3

9,69 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIA4371EDJ-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

SC70-6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

45мОм

Потужність розсіювання:

2,9Вт

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SOT23-3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -500мА; Idm: -1А; 500мВт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,4нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; Idm: -9,2А; 700мВт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
3,2нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; Idm: -13А; 1,2Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9,3нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2А; Idm: -8А; 2,2Вт; SOT23

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 183,8Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
84нКл

Корпус:
TO263