1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; -500В; 11А; Idm: 11А; 300Вт; TO268

Транзистор: P-MOSFET; -500В; 11А; Idm: 11А; 300Вт; TO268
Немає в наявності
Код товару: IXTT11P50-TRL
461,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXTT11P50-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: -500В
Опір в стані провідності: 0,75Ом
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 11А
Тип транзистора: P-MOSFET
Кабель: до датчиків; PIN: 12; M23 "мама"; прямий; 5м; вилка; 125ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 12; M23 "мама"; прямий; 5м; вилка; 125ВDC

3558,04 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC

359,22 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI; UART
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206

20,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD

23,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
IPAK
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16

884,44 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
CFI; SPI
Корпус:
SOIC16
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

281,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD