1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; -800мА

Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSM3J56MFV,L3F(B
4,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 783
Код товару: SSM3J56MFV,L3F(B
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Струм стока: -0,8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

2898,51 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Резистор: thin film
Резистор: thin film

21,48 грн

Тип резистора:
thin film
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 3; 32А; 1-0-2; у корпусі; Полюси: 3
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 3; 32А; 1-0-2; у корпусі; Полюси: 3

10091,88 грн

Властивості перемикачів:
схема Даландера
Зовнішні розміри:
180x100x135мм
Кількість всіх позицій:
3
Кількість полюсів:
3
Резистор: thick film
Резистор: thick film

12605,82 грн

Тип резистора:
thick film
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 75В; Ufmax: 1,5В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 5Вт; 75В; Ufmax: 1,5В; ролик,cтрічка

315,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
75В
Монтаж:
THT
Роз’єм: провід-провід
Роз’єм: провід-провід

102,64 грн

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23