Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -170А; 890Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXTK170P10P
1013,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTK170P10P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 240нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: -170А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 176нс
Недоступний
Інструмент: для монтажа; тестові голки; 43мм
Інструмент: для монтажа; тестові голки; 43мм

2364,42 грн

Використання:
тестові голки
Довжина:
43мм
Тип інструмента:
для монтажа
Недоступний
Запобіжник: плавка; 19,2мм; автомобільний; 2А; 32ВDC
Запобіжник: плавка; 19,2мм; автомобільний; 2А; 32ВDC

3,67 грн

Вид запобіжника:
автомобільний
Кількість в наборі/упаковці:
100шт.
Колір:
сірий
Номінальна напруга:
32В DC
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1,5кА; Iвих: 5А; 0,2S@max5ВА
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1,5кА; Iвих: 5А; 0,2S@max5ВА

5717,19 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
1,5кА
Клас точності:
0,2S @max 5ВА
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 250V

39,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; Архітектура: ARM,Cortex M7; ARM
IC: мікроконтролер ARM; LQFP100; Архітектура: ARM,Cortex M7; ARM

312,34 грн

Вид архітектури:
ARM; Cortex M7
Інтерфейс:
I2C
Кількість входів/виходів:
57
Корпус:
LQFP100
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
270пФ
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 100В; If: 30Аx2; SMT
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 100В; If: 30Аx2; SMT

1019,39 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
SMT
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт

1494,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
740нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB