1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; 414нс

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; 414нс
Немає в наявності
Код товару: IXTH10P50P
485,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH10P50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -500В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: -10А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 414нс
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 50В; 8,3А; двоспрямована; DO214AA,SMB; TransZorb®
Діод: TVS; 600Вт; 50В; 8,3А; двоспрямована; DO214AA,SMB; TransZorb®

3,40 грн

Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
50В
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

15,65 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт

1494,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
740нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB