Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO3P

Немає в наявності
Код товару: IXTQ10P50P
440,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ10P50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -500В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: -10А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 414нс
IC: мікроконтролер PIC; 1,5кБ; 20МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; SO14
IC: мікроконтролер PIC; 1,5кБ; 20МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; SO14

52,58 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Генератор вбудований:
4МГц
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; THT; straight

22,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@5mA
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@5mA

34,85 грн

CTR@If:
100%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
3В
Кількість каналів:
2
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%

96,93 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
35мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Енкодер: інкрементальний; THT; Тривалість мех: 30000цикли; L: 20мм
Енкодер: інкрементальний; THT; Тривалість мех: 30000цикли; L: 20мм

61,45 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
20мм
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-30...70°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; 25Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; 25Вт; IPAK,TO251

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
68пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F

425,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220F
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

484,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO247-3