Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; Idm: -72А; 150Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; Idm: -72А; 150Вт
Brand: VISHAY
SKU: SIHF9540S-GE3
Price: 38.65 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIHF9540S-GE3

38,65 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1000

Крок додавання: 50

Код товару:

SIHF9540S-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-100В

Опір в стані провідності:

0,2Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

150Вт

Струм стока:

-13А

Струм стоку в імпульсі:

-72А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-DSO-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD