Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF5210STRLPBF
130,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,8Вт
Струм стока: -40А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; GPIO; 2,5÷5,5ВDC; SMD; SOIC28; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; GPIO; 2,5÷5,5ВDC; SMD; SOIC28; PIC16

160,29 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
GPIO
Роз’єм: круглі; гніздо; 30А; IP69K; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; 30А; IP69K; прямий

18866,60 грн

Клас герметичності:
IP69K
Механічний монтаж:
на панель; пригвинчуваний
Номінальний струм:
30А
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMD8; SMT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMD8; SMT

176,76 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідна напруга 2:
-3,3В DC
Вихідний струм:
151мА
Вхідна напруга:
19,2...28,8В DC
Резистор: thick film; 8,2МОм
Резистор: thick film; 8,2МОм

25,98 грн

Опір:
8,2мОм
Тип резистора:
thick film
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В