1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт
Немає в наявності
Код товару: RZF013P01TL
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RZF013P01TL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,4нКл
Корпус: TUMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 1,06Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,8Вт
Струм стока: -1,3А
Струм стоку в імпульсі: -5,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; 2м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; 765; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 3; 2м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; 765; PUR

1485,05 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Симістор; 1кВ; 4А; Igt: 25мА; TO251; туба
Симістор; 1кВ; 4А; Igt: 25мА; TO251; туба

60,82 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
TO251
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD