Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт

Немає в наявності
Код товару: CSD23280F3T
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD23280F3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PICOSTAR3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 0,399Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 2,9А
Струм стоку в імпульсі: 11,4А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V

74,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,6мм
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; SO8; -40÷125°C
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; SO8; -40÷125°C

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
VIO supply pin
Інтерфейс:
CAN
Кількість каналів:
1
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; If: 25А; Ifsm: 400А; GBU2
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; If: 25А; Ifsm: 400А; GBU2

52,58 грн

Виводи:
пласкі шпильки
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 250V

272,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO263

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263