Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт

Немає в наявності
Код товару: CSD23280F3T
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD23280F3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PICOSTAR3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 0,399Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 2,9А
Струм стоку в імпульсі: 11,4А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C

0,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; 93÷107кГц; eSOP-R16B
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; 93÷107кГц; eSOP-R16B

34,21 грн

Вид об'єднаної схеми:
AC/DC switcher; контролер SMPS
Вхідна напруга:
85...265В
Корпус:
eSOP-R16B
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 10÷11,1В; 39А; односпрямована; SMAF-C; P6AFC
Діод: TVS; 0,6кВт; 10÷11,1В; 39А; односпрямована; SMAF-C; P6AFC

4,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
9В
Корпус:
SMAF-C
Змінний стовбур; шестигранна,кулевидна; HEX 2мм; SYSTEM 4
Змінний стовбур; шестигранна,кулевидна; HEX 2мм; SYSTEM 4

514,45 грн

Вид рукоятки:
шестикутний
Загальна довжина:
120мм
Матеріал стержня:
хром-молібден-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - мм:
4мм
Недоступний
Резистор: thin film; 11,5кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 11,5кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

403,57 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD