1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -5,1А; Idm: -25А; 1,1Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -5,1А; Idm: -25А; 1,1Вт
Немає в наявності
Код товару: DMP1045UFY4-7
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP1045UFY4-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 23,7нКл
Корпус: X2-DFN2015-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -5,1А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 160В; 0,06А; 0,64Вт; SOT723
Транзистор: NPN; біполярний; 160В; 0,06А; 0,64Вт; SOT723

8,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT723
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
160В
Недоступний
Резистор: thin film; 1,33кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,33кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,50 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TPS

129,24 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
150мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

155,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,004мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
68пФ
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD