Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 2,5Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: SI2333CDS-T1-GE3
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -5,7А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight

105,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC; SIP
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC; SIP

499,24 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
5В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 576Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 576Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
576Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 81,6Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 81,6Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Електронне навантаження; 0÷600В; 0÷20А; 300Вт; 84x151x283мм
Електронне навантаження; 0÷600В; 0÷20А; 300Вт; 84x151x283мм

13582,76 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 2,8"
Захист:
макс. струму OCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Інтерфейс:
RS232; RS485; USB
Максимальна потужність:
300Вт
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; THT; 290Ом; 10мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; THT; 290Ом; 10мс

39703,55 грн

Зовнішні розміри:
56,6x19,8x19,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
5А
Монтаж:
THT
LED; 3мм; синій; 30°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC; К-ть вив: 2
LED; 3мм; синій; 30°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC; К-ть вив: 2

38,01 грн

Властивості діодів LED:
без бортика
Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
465...475нм
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD