1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8
Немає в наявності
Код товару: RQ1A060ZPTR
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RQ1A060ZPTR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: TSMT8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 78мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -6А
Струм стоку в імпульсі: -24А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: перемикальний Шотткі; SOT23; SMD; 40В; 0,2А; 5нс; 310мВт
Діод: перемикальний Шотткі; SOT23; SMD; 40В; 0,2А; 5нс; 310мВт

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
супер швидке перемикання
Ємність:
5пФ
Недоступний
Модуль автоматики: розширення вх./вих; -10÷55°C; IP20; DRT2
Модуль автоматики: розширення вх./вих; -10÷55°C; IP20; DRT2

42165,54 грн

Вид виходу:
NPN
Вид входу:
NPN
Зовнішні розміри:
95x50x36,8мм
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

3,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 2,74кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0603; 63мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0603; 63мВт; ±0,1%; -55÷155°C

8,17 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Монтаж:
SMD
Опір:
1,5кОм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD