Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -2А; Idm: -35А; 40Вт; WDFN8

Немає в наявності
Код товару: FDMC86262P
100,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMC86262P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,1нКл
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -150В
Опір в стані провідності: 307мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: -2А
Струм стоку в імпульсі: -35А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A

414,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
11,7мм
Недоступний
Резистор: thin film; 52,3Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 52,3Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 64МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 64МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD

59,55 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
16
Недоступний
Оптотріак; 5кВ; симистор; SMD6; Ch: 1; MOC308_; ролик,cтрічка
Оптотріак; 5кВ; симистор; SMD6; Ch: 1; MOC308_; ролик,cтрічка

0,00 грн

Вид виходу:
симистор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Відповідність стандарту:
VDE
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Pliers: cutting; side; ESD; blackened tool; H: 0.8mm; 110mm
Pliers: cutting; side; ESD; blackened tool; H: 0.8mm; 110mm

2105,93 грн

Type of pliers:
для різання
Вид щипці:
бічне
Вимір D:
6мм
Властивості кусачок/ножів:
воронований інструмент
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм

16263,96 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
3,2кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,89В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD