Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -175мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

Немає в наявності
Код товару: TP0620N3-G
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: TP0620N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: -175мА
Струм стоку в імпульсі: -0,8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,7мм; ±20%

7,54 грн

Висота:
5,7мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 70мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 70мкА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Діапазон напруги живлення:
1,8...6В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; SMT; 3A; 100V

542,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23,TO236AB

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
60В
Недоступний
Діод: TVS; 30В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; Ammo Pack
Діод: TVS; 30В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; Ammo Pack

9,76 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Корпус:
DO201AE
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двоспрямована; SMA
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двоспрямована; SMA

73,49 грн

Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
13,3...14,7В
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт

1494,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
740нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247AC