Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Brand: VISHAY
SKU: IRF9640STRLPBF
Price: 148.89 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: IRF9640STRLPBF

148,89 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IRF9640STRLPBF

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

44нКл

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-200В

Опір в стані провідності:

0,5Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

125Вт

Струм стока:

-6,8А

Струм стоку в імпульсі:

-44А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 47мкФ; 500ВDC; 250ВAC

481,50 грн

Вид конденсатора:
DC-Link

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±10%

Ємність:
47мкФ

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO263

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
186нКл

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Напруга сток-джерело:
-20В

Опір в стані провідності:
93мОм

Струм стока:
-3,2А

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-4,4А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23F

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-6А

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
44нКл

Корпус:
D2PAK; TO263